深圳市浩辉微电子有限公司

供应贴片SI2300(A0SHB) SOT-23场效应管工厂现货

品牌:浩辉 型号:SI2300 封装:SOT-23 批号:今年新货 漏源电压（Vdss）:20V 漏极电流(Id):3.8A 漏源导通电阻(RDS On):0.04 栅源电压(Vgs):4.5 导电方式:耗尽型 种类:绝缘栅(MOSFET) :

厂家热销SI2306 SOT-23贴片场效应管

品牌:浩辉 型号:Si2306 封装:SOT-23 批号:今年新货 工作温度范围:-55~150 安装类型:贴片型 : 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET) 热销:厂家直销

工厂热销Si2302（A2SHB) SOT-23低压MOS管

品牌:浩辉 型号:Si2302 封装:SOT-23 批号:今年新货 漏源电压（Vdss）:20V 漏极电流(Id):2.5A 漏源导通电阻(RDS On):0.085 栅源电压(Vgs):4.5V 工作温度范围:-55~150 安装类型:贴片型 导电方式:耗尽型 种类:绝缘栅(MOSFET) 热销:厂家直销

厂家批量供应2N60 TO-220F塑封场效应管

品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:2N60 最大漏极电流:2000 导电方式:耗尽型 沟道类型:N沟道 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 用途:SW-REG/开关电源 极间电容:/ 种类:绝缘栅(MOSFET) 低频噪声系数:/

贴片Si2305(A5SHB) SOT-23低压MOS管

品牌:浩辉,其他 型号:Si2305 最大漏极电流:-3.5A 导电方式:增强型 沟道类型:N沟道 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:GE-N-FET锗N沟道 用途:S/开关 极间电容:/ 种类:绝缘栅(MOSFET) 低频噪声系数:/

原装AOD484 TO-252贴片场效应管

品牌:AOS 型号:AOD484 封装:TO-252 批号:今年新货 工作温度范围:-55~150 安装类型:贴片式 应用领域:安防设备,家用电器,3C数码,智能家居,照明电子,测量仪器,医疗电子,可穿戴设备,汽车电子,网络通信 是否跨境货源:否 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET)

厂家现货DP8205 TSSOP-8 场效应管

品牌:浩辉 型号:DP8205 封装:TSSOP-8 批号:201812 FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:20 漏极电流(Id):5A 栅源电压(Vgs):20 栅极电荷(Qg):11 反向恢复时间:10 最大耗散功率:1250 工作温度范围:-55-150 安装类型:贴片 应用领域:家用电器,照明电子 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET) 热销:现货优惠

厂家热销AO3415 SOT-23贴片场效应管

品牌:浩辉 型号:AO3415 封装:SOT-23 批号:今年新货 漏源电压（Vdss）:-20V 漏极电流(Id):-4A 漏源导通电阻(RDS On):0.043 栅源电压(Vgs):-4.5 工作温度范围:-55~150 安装类型:贴片型 应用领域:安防设备,家用电器,3C数码,智能家居,照明电子,测量仪器,医疗电子,汽车电子,新能源,网络通信 导电方式:增强型 种类:绝缘栅(MOSFET) 热销:厂家直销

厂家供应贴片MOS管 2N7002 SOT-23封装

型号/规格:2N7002 品牌/商标:浩辉 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 品牌:浩辉,其他 型号:2N7002 导电方式:耗尽型 沟道类型:N沟道 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:GE-N-FET锗N沟道 用途:SW-REG/开关电源 种类:绝缘栅(MOSFET) 热销:厂家直销

供应SI2302(A2SHB) SOT-23低压场效应管

型号/规格:SI2302 品牌/商标:浩辉 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率