深圳市凯斯宇科技有限公司

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-263-2
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：31 A
Rds上漏源导通电阻：60毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：42 nC
Pd-功率耗散：110 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF5305STRLPBF SP001564840
单位重量：4 g

HEXFETE功率MOSFETAdvanced工艺技术表面安装

（RF5305S）VDSS=-55V低剖面通孔

（RF5305L175C工作温度Fast开关Rds（开）=0。

06]2P沟道完全雪崩率DD1描述了国际整流器第二代

六角场效应晶体管利用先进的加工技术实现每硅面积

的极低导通电阻。这个优点，加上快速的开关速度和

加固的器件设计，HEXFET功率mosfet是众所周知的，

为设计人员提供了一个非常高效和可靠的设备，

可在各种应用中使用。D-pak是一种表面安装式电源包，

可用于尺寸高达HEX-4的普通模具。它在任何现有的

表面安装式电源包中提供的电源能力和的

262对262电阻。由于其内部连接电阻低，可以消散到2

，所以2PAK适用于大电流应用。0W在典型的表面贴装应用中，

通孔型（IRF5305L）可用于低剖面应用额定值

SparameterMaxUnitsID Q Tc=25“C连续漏极电流，

Vos@-10VGID 2 Tc=100 C连续漏极电流。

Vos 2-10V6脉冲漏极电流O（s）-110PPQTA=25

功耗3.8Po@Tc=25℃功耗线性降额系数0.71Wpc

Gate-to-source电压单脉冲雪崩能量2G）mIAR

Avalanche电流重复雪崩能量0dv/dtPeak二极管恢复

dv/dt 3S5.8V/ns工作结和55至+175存储温度焊接温度范围。

持续10秒300（1。从外壳热阻参数TypMaxUnitsRecFunction

到外壳/恢复到环境（PCB安装，稳态）的6mm